【福田昭のセミコン業界最前線】 3D XPointを超える大容量メモリ技術「セレクタオンリーメモリ」
Armからスピンオフする新メモリ会社Cerfe LabsのCeRAM技術とは？（津田建二） - エキスパート - Yahoo!ニュース
全く新しい原理の不揮発性半導体メモリである、CeRAMをArmからスピンオフした会社がIPコアとしてライセンスビジネスを始めた。強相関電子系と呼ばれる固体物理学の原理を用いたCe（Correlated Electron）RAMである。久々に全く新しい原理の不揮発性メモリ技術を持ってArmから独立し、Cerfe Labs社を設立した。 Cerfe Labs社は米テキサス州におけるハイテクの街オースチン（図1）に設置した。実はArmはこれまでも5年間、社内のArm ResearchでCeRAMの研究開発を行ってきた。米国国防総省（DoD）のDARPAのERI（Electronics Resurgence Initiative）プロジェクトにも加わった。このプロジェクトではCeRAMの材料と多値化の研究をしていた。すでに150件ほどの特許やIPを持ち、満を持してこの10月に入り起業した。 図1
Armの不揮発性メモリIP部門、新会社「Cerfe Labs」としてスピンオフ
ソフトバンクグループがNVIDIAに売却することで中立性が保てないとして社員や顧客の動揺が広がる英国の半導体IPベンダArmのメモリIP部門がスピンオフする形で、10月1日付で「Cerfe Labs」という新会社を米国テキサス州オースチンに設立した。 Armの不揮発性メモリIP部門が独立して新会社を設立した Ce(Correlated Electron)RAMと呼ばれる強相関電子系の材料(電子が単独で動作するのではなく、電子同士が相関を保ちながら挙動する材料)を使った、新しい低コスト不揮発性RAMのメモリIPで市場参入するとしている。 Armは過去5年間にわたり、このCeRAMについて研究を進めてきており、スピンオフのチャンスを探っていたという。ただし、Cerfe Labsは新型メモリ自体を製造販売することはなく、これまでのArmとおなじビジネスモデルで、IPを半導体企業に有償提供するビジ
東北大と京大、反強磁性体を用いたスピントルク磁気メモリを実証
東北大学と京都大学は、コバルト・ガドリニウム(CoGd)合金多層膜からなる反強磁性材料を用いた反強磁性体スピントルク磁気メモリを実証したと発表した。 同成果は、東北大学金属材料研究所の関剛斎 准教授、高梨弘毅 教授、周偉男 博士研究員(現:物質・材料研究機構ポスドク研究員)、京都大学化学研究所の森山貴広 准教授と小野輝男 教授らで構成される研究グループによるもの。詳細は米国の科学誌「Physical Review Letters」のオンライン版に公開された。 高度情報化社会の進展に伴い、情報記録デバイスの超高記録密度化・低消費電力化が求められている。HDDやMRAMなどの磁気記録デバイスでは、コバルト(Co)や鉄(Fe)、ニッケル(Ni)などの強磁性体からなる記録層に、電流あるいはスピントルク効果や磁場で、0か1のデジタル情報を描き込む、磁気モーメントの反転により記録する方法が用いられてい
金属酸化物絶縁体でスピントロニクス素子を駆動
慶應義塾大学の研究グループらは、絶縁体を用いてスピントロニクス素子を駆動させる新たな原理を発見した。駆動効率はトポロジカル絶縁体に匹敵するという。 超高速で低消費電力のスピントロニクス素子、開発を加速 慶應義塾大学理工学部の安紅雨訪問研究員と安藤和也准教授らの研究グループは2018年2月、東北大学材料科学高等研究所の大野武雄准教授らと共同で、絶縁体を用いてスピントロニクス素子を駆動させる新たな原理を発見したと発表した。駆動効率はトポロジカル絶縁体に匹敵するという。 スピントロニクス素子はこれまで、磁性体に接合された金属に電流を流すと生じるスピン軌道トルクを用いて、磁化を制御してきた。ところが、金属に電流を流すこの方法だとエネルギー損失が発生する。これを回避するため最近は、表面のみが金属の特性を示すトポロジカル絶縁体を利用する方法が注目されていた。 研究グループは今回、金属を酸化させた金属酸
まとめ：新世代のメモリを創造する二酸化ハフニウム/ジルコニウム
まとめ：新世代のメモリを創造する二酸化ハフニウム/ジルコニウム：福田昭のストレージ通信（86） 反強誘電体が起爆するDRAM革命（7）（2/2 ページ） 書き換え寿命の延伸と研究開発の広がりが大きな課題 2011年に二酸化ハフニウム強誘電体が公表されて以降、わずか6年ほどの間に、これだけの研究成果が発表されてきたのは、すごいことだ。そして発表された研究成果、具体的にはキャパシターやトランジスタなどの試作結果がかなり良好であることも、驚くべきことだといえる。通常は、新しい材料によって作製したデバイスの特性は、非常に貧弱であるからだ。 もっとも、初めからかなり良好な結果が得られた理由は、推測できる。最も重要なのは、二酸化ハフニウムと二酸化ジルコニウムが、既に半導体の量産に使われている材料だという事実だろう。これは原料の純度が、半導体の量産に適用できる水準までに高いことを意味する。新しい機能を実
強誘電体メモリが再び注目を集めている、その理由
強誘電体メモリが再び注目を集めている、その理由：福田昭のストレージ通信（57） 強誘電体メモリの再発見（1） FeRAM（強誘電体不揮発性メモリ）の研究開発の熱気は、2000年代に入ると急速に衰えていった。だが2011年、その状況が一変し、FeRAMへの関心が再び高まっている。そのきっかけとは何だったのだろうか。 強誘電体材料に起こったブレークスルー 強誘電体不揮発性メモリ（FeRAM）の研究開発が、熱気に包まれている。微細化が可能な、新しい材料が発見されたからだ。しかも幸運なことに、新材料は半導体製造にとって珍しくない材料だった。 それは、ハフニウム酸化物（HfOx）である。ハフニウム酸化物は、高い誘電率を特徴としており、金属ゲートのMOSFETにゲート絶縁膜として大量に使われている。DRAMのキャパシタ絶縁膜にも採用された実績がある。このハフニウム酸化物に特定の添加物を入れたり、製造工
インテル、ついに不揮発性のメインメモリ「Intel persistent memory」発表、実稼働デモ公開。2018年に新型Xeon「Cascade Lake」とともに登場予定
Intel persistent memoryはデータの保持に電力を必要としない、不揮発性メモリの一種だ。データをメモリからストレージに保存する必要がなくなるなど、コンピュータのアーキテクチャを一変させる可能性を持つ。 現代のコンピュータは基本的にメインメモリとしてDRAMを利用しています。DRAMはアクセスが高速な一方、容量あたりの単価は高く、それゆえ大量にコンピュータに搭載することが難しく、またデータを保持し続けるのに電力を必要とします。 このDRAMの能力と性質を補完するため、一般に現代のコンピュータには二次記憶装置として大容量で安価かつ電力がなくてもデータを保持し続けられるハードディスクドライブなどのストレージを備えています。 こうした現代のコンピュータの構造を一変させようとインテルが5月16日に発表したのが、大容量かつ低価格、しかもデータの保持に電力を必要としない、同社とマイクロ
カーボンナノチューブを使った「NRAM」の基本動作を実証
中央大学の竹内健教授らのグループは2014年6月12日、米国のNanteroと共同でカーボンナノチューブを用いた半導体メモリ「NRAM」に最適な書き込み方法を開発し、140nmサイズの単体素子によって基本動作を実証したと発表した。 中央大学の竹内健教授らのグループは2014年6月12日、米国のNanteroと共同でカーボンナノチューブを用いた半導体メモリ「NRAM」に最適な書き込み方法を考案するとともに、140nmサイズのNRAM素子に適用して基本動作を実証したと発表した。中央大学では、「高速、低電力、大容量、高信頼な基本的な動作を世界で初めて実証した」としている。 抵抗の変化を応用、将来10nmへ NRAMは、Nanteroが考案した半導体メモリで、電圧印加や微小な電流を流すことでカーボンナノチューブが接触（低抵抗化）、分離（高抵抗化）し抵抗値が変化する現象を利用してデータを記憶する。
どうなる? 次世代の半導体プロセス技術(1) 存在意義を失ったITRSロードマップ
2016年7月に米国カリフォルニア州サンフランシスコで開催された半導体製造装置材料展示会「SEMICON West 2016」の併催講演会で米国の半導体技術動向調査および製造コスト分析企業であるIC KnowledgeのScotten W. Jones社長が次世代の半導体技術について調査会社の立場で示唆に富んだ講演を行った。今回の連載では、この講演内容を踏まえて、半導体技術の最新事情を読み解いてみたい。 熾烈を極めるロジック各社の先端技術ノード開発競争 次世代半導体デバイスの実現を目指して超微細化を追求する半導体メーカー(ファウンドリ含む)は、世界でほんの数社に絞り込まれてしまった。これら最先端プロセスを提供する半導体メーカーは他社より技術的優位性を強調した独自のロードマップを発表し、超微細化を象徴する独自の技術ノード名(注1)を宣伝するなど、微細化競争に拍車がかかっている。これらの数社は
スピン注入型MRAMの不都合な真実
MTJを構成する残りの要素 国際会議「IEDM」のショートコースでCNRS（フランス国立科学研究センター）のThibaut Devolder氏が、「Basics of STT-MRAM（STT-MRAMの基礎）」と題して講演した内容を紹介するシリーズの第14回（最終回）である。 前回は、磁気トンネル接合（MTJ）を構成する主な要素の1つ「自由層」を解説した。今回は、MTJを構成する残りの要素を説明する。残りの要素とは、「固定層」や関連する磁性層、電極、中間層、下地（基板）などである。 47層もの超多層膜が必要となるスピン注入MRAM用MTJ これまでは磁気トンネル接合（MTJ）素子を、3層構造（固定層／トンネル層／自由層）で説明してきた。この単純な構造は間違っていはいないが、スピン注入型MRAM（STT-MRAM）を想定して研究されている実際のMTJとは、かなり違う。3層の簡素な構造を使用
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Intel、ポストCMOSとなる新半導体素材「MESO」 ～CMOS比30分の1の消費電力や5倍の演算性能、ムーアの法則継続にも
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